半导体集成电路模拟开关检验机构

2024-12-06

半导体集成电路模拟开关检测报告如何办理?检测哪些项目?我们严格按照标准进行检测和评估,确保检测结果的准确性和可靠性。同时,我们还根据客户的需求,提供个性化的检测方案和报告,帮助厂家更好地了解产品质量和性能。

检测项目(参考):

模拟电压工作范围、导通态漏电流IDS(on)、导通电阻Ron、导通电阻路差△Ron、截止态漏电流ID(off)、电源电流、导通电阻、导通电阻路差、截止态源极漏电流、截止态漏极漏电流、导通态漏电流、开启时间/关断时间、截止态漏极漏电流/截止态源极漏电流、导通态漏电流IDS(on)、导通电阻路差ΔRon、截止态源级漏电流IS(off)、截止态漏极漏电流ID(off)、输入低电平电流IIL、输入高电平电流IIH、静态工作电源电流IDD、功能测试、导通态漏电流IDS(on)、导通电阻Ron、导通电阻路差△Ron、截止态源极漏电流IS(off)、截止态漏极漏电流ID(off)、输入低电平电流IIL、输入高电平电流IIH、静态工作电源电流、双向开关截止电流、关断时间、导通电阻温度漂移率、导通电阻路差率、开启时间、通道转换时间、导通态漏电流 IDS(on)、导通电阻 RON、导通电阻路差 △RON、截止态源极漏电流IS(off)、截止态漏极漏电流ID(off)、输出低电平电压 VOL、输出高电平电压 VOH、静态条件下的电源电流 IDD、导通电阻RON、截止态源极漏电流IS(OFF)、截止态漏极漏电流ID(OFF)、逻辑端输入电流、导通态漏电流 IDS(on)、导通电阻 RON、截止态源极漏电流 IS(off)、截止态漏极漏电流 ID(off)、静态条件下的电源电流、导通态漏电流IDS(on)、导通电阻Ron、导通电阻路差△Ron、截止态源极漏电流IS(off)、截止态漏极漏电流ID(off)、截止态源极漏电、导通态漏极漏电流、输出高电平电压VOH、输出低电平电压VOL、电源电流IDD、开启时间ton、关断时间toff、输出高电平电压、输出低电平电压

检测标准一览:

1、SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

2、GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 5.2

3、GB/T 17574-1998 半导体集成电路 第2部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998

4、GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第III篇第6节 5.1.1

5、GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 条款2.6

6、GB/T14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法 5.1

7、GB/T14028-2018/ 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 5.4

8、GB/T 14028-2018 《半导体集成电路 模拟开关测试方法》 GB/T 14028-2018

9、GB/T 17574-1998 半导体集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇 第2节 2

10、GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 GB/T 17940-2000

11、SJ/T 10741-2000(CMOS) 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 条款5.15

12、GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 GB/T 14028-1992

13、SJ/T10741-2000 5.9 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

14、SJ/T10741-2000 5.10 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

15、SJ/T 10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

16、GB/T17574-1998 《半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路》 第Ⅳ篇 第2节 1

检测报告用途

商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。

检测报告有效期

一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。

检测时间周期

一般3-10个工作日(特殊样品除外),具体请咨询客服。

检测流程

检测流程

温馨提示:以上内容仅供参考,更多其他检测内容请咨询客服。

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