板材及其制品检测机构
2024-11-18
双极晶体管检测哪些项目?检测周期多久?报告有效期多久呢?我们严格按照标准进行检测和评估,确保检测结果的准确性和可靠性。同时,我们还根据客户的需求,提供个性化的检测方案和报告,帮助厂家更好地了解产品质量和性能。我们只做真实检测。
fT特征频率、IB=0时的集电极发射极击穿电压V(BR)CEO、IB=0时的集电极发射极截止电流ICEO、IC=0时的发射极基极击穿电压V(BR)EBO、IC=0时的发射极基极截止电流IEBO、IE=0时的集电极基极击穿电压V(BR)CBO、IE=0时的集电极基极截止电流ICBO、S-参数、上升时间tr、下降时间tf、共发射极正向电流传输比的静态值hFE、共基极输出电容、关闭时间toff、基极发射极饱和电压VBEsat、延迟时间td、开启时间ton、贮存时间ts、集电极发射极饱和电压VCEsat、I、fT 特征频率、上升时间、下降时间、共发射极正向电流传输比的静态值h、关闭时间、基极发射极饱和电压、延迟时间、开启时间、贮存时间、集电极发射极饱和电压、关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff、tz)和关断能量Eoff、反向传输电容、开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon、最大反偏安全工作区、最大短路安全工作区1、最大短路安全工作区2、最大集电极峰值电流、最大集电极电流、栅极内阻、栅极漏电流、栅极电荷、栅极-发射极阈值电压、输入电容、输出电容、间歇工作寿命(负载循环)、集电极-发射极击穿电压、集电极截止电流、集电极-发射极电压、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压、集电极-发射极饱和电压、高温栅极偏置、高温阻断(HTRB)、关断期间的各时间间隔和关断能量、开通期间的各时间间隔和开通能量、最大短路安全工作区、栅极-发射极阈值电压、集电极-发射极饱和电压、结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗、高温阻断
1、GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 6.2.1
2、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
3、GB/T29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
4、(IGBT) GB/T29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分:绝缘栅双极晶体管 6.3.3
5、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 6.3.12
6、GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 6.3.12
7、GB/T29332-2012IEC60747-9Ed.2.0b:2007 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
8、IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019 半导体器件 第9部分:分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs) 7.2.5.3
9、 GB/T 29332-2012 IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012 IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
10、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
11、GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 Ⅳ 1.13.2
12、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9:200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘体双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9:2007
13、GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管 GB/T 29332-2012
14、 GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T 29332-2012IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007
15、(IGBT) GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第 9 部分:绝缘栅双极晶体管 6.2.6.2
16、IEC60747-9(Edition2.0):2007 半导体器件-分立器件-第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
17、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 Ⅳ1.10
18、 IEC 60747-9 Edition 3.0 :201 半导体器件 第9部分:分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs) IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019
19、IEC 60747-9-2019 半导体器件 第9部分:分立器件 绝缘栅双极晶体管(igbt) 6.3.13
20、GB/T 4587-1995 fT 特征频率
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