半导体材料检测检验哪些项目？检测标准是什么？我们严格按照标准进行检测和评估，确保检测结果的准确性和可靠性。同时，我们还根据客户的需求，提供个性化的检测方案和报告，帮助厂家更好地了解产品质量和性能。

检测项目（参考）：

电阻率(电阻系数)、基体金属杂质含量(钾、钠、钙、镁、铝、铬、铁、镍、铜、锌)、工业硅中铁、铝、钙含量、碳化硅单晶抛光片微管密度、碳化硅单晶晶型、表面金属杂质含量(钾、钠、钙、镁、铝、铬、铁、镍、铜、锌)、荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)、选区电子衍射、表面粗糙度、平整度、结晶质量、方块电阻、迁移率和载流子浓度、外延片发光波长、表面缺陷、外延层厚度、外延层掺杂浓度

检测标准一览：

1、GB/T 32278-2015 碳化硅单晶平整度测试方法 GB/T 32278-2015

2、GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

3、SEMIPV49-0613 基体金属杂质含量(钾、钠、钙、镁、铝、铬、铁、镍、铜、锌)

4、GB/T 1551-2009 硅单品电阻率测定方法

5、GB/T 14634.2-2010 荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)

6、GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 GB/T 30656-2014

7、GB/T 18907-2013 微束分析 分析电子显微术 透射电镜选区电子衍射分析方法/

8、GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

9、GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

10、GB/T 14634.1-2010 荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)

11、SEMI PV49-0613 多晶硅基体金属杂质分析电感耦合等离子体质谱法

12、GB/T 5838.3-2015 荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)

13、GB/T24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

14、SJ 21535-2018 电力电子器件用碳化硅外延片规范 SJ21535-2018

15、GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

16、SJ 21534-2018 微波功率器件用氮化镓外延片规范 SJ 21534-2018

17、GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 GB/T 30854-2014

18、GB/T 23595.1-2009 荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)

19、GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法 第4部分:电感耦合等离子体原子发射光谱法测定元素含量

20、GB/T 23595.3-2009 荧光粉测定(发射峰值波长、发光效能、光转化效率、量子效率、色品坐标、发射光谱、相对亮度)

检测报告用途

商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。

检测报告有效期

一般检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。

检测时间周期

一般3-10个工作日（特殊样品除外），具体请咨询客服。

检测流程

温馨提示：以上内容仅供参考，更多其他检测内容请咨询客服。