晶体硅检测机构

2025-01-06

晶体硅检测检验哪些项目?检测标准是什么?我们严格按照标准进行检测和评估,确保检测结果的准确性和可靠性。同时,我们还根据客户的需求,提供个性化的检测方案和报告,帮助厂家更好地了解产品质量和性能。

检测项目(参考):

III-V族杂质含量、主参考面晶向、位错密度、单晶方片边长、厚度及总厚度变化、参考面位置、参考面长度、基体金属杂质含量、基硼电阻率、基磷电阻率、外延层位错、外延层厚度、外延层堆垛层错密度、外形尺寸、少数载流子寿命、尺寸范围、径向电阻率变化测量、晶向及晶向偏离度、氧化夹层、氧化诱生缺陷、氧浓度、直径及允许偏差、碳浓度、表面质量、规格、金属杂质和硼含量、导电类型、电阻率、钾、钠、钙、镍、铜、锌、铝、铁、铬、硼、铝、镓、磷、砷、锑、铟、碳、氧、铁、铬、镍、铜、锌、钠、铁、铬、镍、铜、锌、低辐照条件下的性能、初始稳定性试验、外观检查、接地连续性、最大功率确定、湿冻试验、湿漏电试验、湿热试验、热循环试验、紫外预处理试验、绝缘试验、静态机械载荷试验、低辐照度下的性能、冰雹试验、室外曝露试验、引出端强度试验、旁路二极管试验、最大功率确认、机械载荷试验、标准条件和标准电池额定工作温度下的性能、标准电池额定工作温度的测量、温度系数测量、湿漏电流试验、热斑耐久试验、稳定性试验、电势诱导衰减试验、低辐照度下性能测试、反向电流过载试验、引线端强度测试、接地电阻试验、最大功率测试、电势诱导衰减测试、温度和辐照度修正方法、外观、最大功率测量、户外曝晒试验、旁路二极管热性能、最大功率、标准测试条件和标称工作温度下的性能、温度系数、热斑耐久性试验、稳定试验、组件标称工作温度的测量、部分参数、静态载荷试验、PID试验、低温试验、修改、光伏组件盐雾蚀试验、入射角影响的测量、内部导线和载流部件、剪切试验、加速老化试验、压力试验、反向过流试验

检测标准一览:

1、GB/T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片 GB/T 26071-2018

2、GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅 GB/T 25074-2017

3、GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向 X射线测试方法

4、IEC TS 62804-1:2015 《光伏组件 - 电势诱导衰减检测的试验方法 第一部分:晶体硅》 4

5、GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

6、GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片 GB/T 12964-2018

7、GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

8、UL1703:2002 平板光伏组件和电池板 24

9、GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法

10、GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

11、GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

12、IEC 61215-2(Edition 1.0):2016 《地面用晶体硅光伏组件-设计鉴定和定型 第二部分:测试程序》 4.7

13、GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅 4.2

14、GB/T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片 5.7

15、IEC 61701-2011 光伏组件盐雾腐蚀试验

16、SEMI V1-0709 高分辨率辉光放电质谱法测量太阳能电池硅材料中痕量元素的方法

17、GB/T 12963-2014 电子级多晶硅 4.2.2

18、GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2009

19、IEC TS 62804-1: 2015 《光伏组件-电势诱导衰减检测的试验方法 第一部分:晶体硅》 4

20、IEC61215-2:2016 地面用光伏组件-设计鉴定和定型 第2部分:试验程序 MQT07

检测时间周期

一般3-10个工作日(特殊样品除外),具体请咨询客服。

检测报告用途

商超入驻、电商上架、内部品控、招投标、高校科研等。

如果您对产品品质和安全性能有严格要求,不妨考虑选择我们的检测服务。让我们助您一臂之力,共创美好未来。

检测流程

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温馨提示:以上内容仅供参考,更多其他检测内容请咨询客服。

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