GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法

发布时间:2022-07-08

标准编号：GB/T 1551-2009硅单晶电阻率测定方法

标准状态：现行

标准简介：本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。

英文名称： Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

替代情况： 替代GB/T 1551-1995;GB/T 1552-1995

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

采标情况： MOD SEMI MF 84-1105;SEMI MF 397-1106

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1979-05-26

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

检测流程

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