标准编号：GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

标准状态：现行

标准简介：本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。

英文名称： Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

替代情况： 替代GB/T 1554-1995

中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料

发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

首发日期： 1979-05-26

提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

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