标准简介：本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

标准号：GB/T 14847-1993

标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1993-01-02

实施日期：1994-09-01

中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号（ICS）：29.040.30

替代以下标准：被GB/T 14847-2010代替

起草单位：机电部四十六所

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局

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