检测样品

金属氧化物半导体场效应管、栅极耦合场效应管、金属-半导体场效应管、硅基场效应管、碳化硅场效应管、N沟道型场效应管、P沟道型场效应管、双极沟道型场效应管、增强型场效应管、耗尽型场效应管、晶体管封装形式场效应管、芯片级封装形式场效应管、功率MOSFET、小信号MOSFET、CMOS等。

检测项目

导通电阻检测、漏电流检测、绝缘电阻检测、放大系数检测、噪声系数检测、频率响应检测、电压放大系数检测、电流放大系数检测、静态工作点检测、反向击穿电压检测、栅源漏电流检测、输入电容检测、输出电容检测、转移电导检测、稳态输出电压波形检测、稳态输出电流波形检测、动态特性检测、温度特性检测、工作寿命检测、引脚间绝缘检测等。

检测周期

参考标准规范

NF C80-203-2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验

BS QC 720104-1997 电子元件的质量评定协调体系.半导体装置.光电子装置.光纤维系统或分系统用带/不带引线的场效应管管脚组件额空白详细规格

DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 单片硅辐射硬化数字非线性微电路互补开关场效应管驱动器

IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验

JEDEC JEP69-B-1973 场效应管用优先引脚外形

IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

检测时间周期

一般3-10天出报告，有的项目1天出报告，具体根据场效应管检测项目而定。

检测报告有效期

一般场效应管检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。

检测流程

温馨提示：以上内容仅供参考，更多其他检测内容请咨询客服。